Электроника. Диссертация Разработка основ технологии получения эпитаксиальных слоев GaN,InxGa1-xN и AlxGa1-xN методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений для светоизлучающих структур : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06, Москва, 2009