Электроника. Диссертация Эпитаксиально-интегрированные гетероструктуры InGaAs/AlGaAs/GaAs для мощных импульсных лазерных диодов, излучающих на длине волны 0.9 МКМ : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.03, Москва, 2009