Электроника. Диссертация Моделирование концентрационных профилей компонентов в низкоразмерных гетероструктурах InGaAs/(Al)GaAs, формируемых методом МОС-гидридной эпитаксии : диссертация ... кандидата технических наук : 05.27.06, Москва, 2004