9915
Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01 Юзеева, Наталия Александровна
2013, Москва
Электроника. Диссертация Электронные свойства структур с квантовой ямой InxGa1-xAs (0.2 ≤ x ≤ 0.6) на подложках GaAs и InP : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 05.27.01, Москва, 2013